abbr. SJ GMU
ISSN 2657-5841 (printed)
ISSN 2657-6988 (online)
DOI: 10.26408
Wpływ promieniowania jonizującego na elementy półprzewodnikowe i układy scalone
Influence of ionization radiation on semiconductor devices and integrated circuits
Abstract:
In the paper sources of ionization radiation exposures of semiconductor devices and integrated circuits are presented, and classifications of failures caused by radiation are disscused. Some examples of destcructive influence of radiation on semiconductor devices and integrated circuits are given. Application of neutron radiation to obtain doped n-type silicon and use of silicon to construct ionization detectors are described as well.
Streszczenie:
W pracy opisano źródła narażeń elementów półprzewodnikowych i układów scalonych na promieniowanie jonizujące, a następnie omówiono klasyfikacje mechanizmów uszkodzeń wywołanych tym promieniowaniem. Podano przykłady szkodliwego wpływu promieniowania jonizującego na wybrane elementy i układy. Pokazano zastosowanie promieniowania neutronowego do wytwarzania domieszkowanego krzemu oraz wykorzystanie krzemu do konstrukcji półprzewodnikowych detektorów promieniowania jonizującego.
Issue:
Pages:
201
213
Download full text in pdf:
References:
Dance B., Nuclear EMP induced chaos, Communications International, Vol. 8, 1982, s. 45–52.
Gautier M.K., Dantas A.R.V., Radiation effects testing for space and military applications, Test and Measurement World, Vol. 2, 1988, s. 51–62.
Haas E.W., Schnoeller M.S., Phosphorus doping of silicon by means of neutron radiation, Transactions on Electron Devices, Vol. ED-23, 1976, No. 8.
Habas P., Stojadinovic N., Mechanisms of radiation-induced failures in power MOS, materiały konferencji MIXDES, Kraków 1999, s. 43–54.
Materiały ze stron internetowych.